BJT Technologies
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작성일 23-01-11 17:22본문
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위의 회로에서 출구 전압의 높은 값은 이 출구단자에 걸린 다음 게이트가 몇 개인가에 따라 변하게 된다 즉 fan-out이 늘어남에 따라 저항 Rc에 연결되는 병렬저항 RB의 개수가 늘어나게 되고, 따라서 는
로, n값에 따라서 줄어들게 된다
2) DCTL (Direct Coupled Transistor Logic)
RTL 회로에서 베이스(Base)저항을 제거한 것으로 기본 동작은 RTL과 같다. 부하저항을 pnp transistor(트랜지스터) 로 대치함과 동시에 또 isolation의 necessity 자체를 없앰으로써 집적도의 관점에서 게이트 구조의 최적화를 시도한 논리회로의 관념이 1972년에 도입된 intergrated injection logic (I2L), 혹은 merged transistor logic (MTL)이다.
DCTL 회로는 저전압 전원(1.5V)에 의한 동작이 가능하며, 전력소모가 작은 advantage이 있다아 단점으로는 전류 hogging현상(transistor(트랜지스터) 의 characteristic(특성)치가 있으면 베이스-에미터간의 전압강하가 가장 적은 transistor(트랜지스터) 로 잔류의 대부분이 흘러 transistor(트랜지스터) 의 정상동작을 방해하는 현상)이 있다아
3) I2L (Intergrated Injection Logic)
DCTL의 변형회로이며, 쌍극성 TR 기술을 이용한 LSI(대규모 집적회로)용으로 대단히 우수한 게이트이다.
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BJT Technologies[BJT]Technologies(RTL,DCTL,IIL,DTL,TTL,S-TTL,ECL) , BJT Technologies공학기술레포트 ,
1) RTL (Resistor-Transistor Logic)
2) DCTL (Direct Coupled Transistor Logic)
3) I2L (Intergrated Injection Logic)
4) DTL (Diode-Transistor Logic)
5) TTL (Transistor-Transistor Logic)
6) Schottky TTL (Schottky Transistor-Transistor Logic)
7) ECL (Emitter Coupled Logic)
RTL은 저항과 transistor(트랜지스터) 를 이용하여 논리 게이트를 실현한 것이다. 이의 기본 착안점은 아래그림에서와 같이 스위칭 transistor(트랜지스터) 의 베이스에 직접 pnptransistor(트랜지스터) 로부터 전류가 공급되므로 npn…(To be continued )
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BJT Technologies
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다.
아래 그림은 DCTL NOR gate로 이 게이트에서는 npn transistor(트랜지스터) 가 콜렉터를 공유하므로 이들 transistor(트랜지스터) 를 하나의 n영역에 집적 시킬수 있게 된다 따라서 DCTL은 transistor(트랜지스터) 를 위한 isolation pocket과 저항을 위한 isolation pocket을 필요로 하며, 더구나 회로에 쓰이는 모든 저항을 한 pocket에 집적시킬수 있으므로, 집적도의 측면에서 매우 유리한 관념이다.